联电携手新加坡IME开发TSV技术CMOS应用

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联电(2303-TW)(UMC-US)与新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微电子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣布，双方已协议合作进行应用于背面照度式CMOS影像感测器之TSV技术开发。

此项合作专案将利用IME在12吋TSV生产线晶圆薄化、接合、重布与凸块的尖端实力，开发与CMOS影像感测器元件相结合的TSV制程。举凡智慧手机，数位相机与个人平板电脑等行动电子产品，所采用之数百万像素影像感测器，都将可藉由此项技术大幅提升产品效能，降低成本并且减少体积。

联电资深副总颜博文表示，十分高兴拓展与IME在背面照度式技术上应用TSV技术的合作关系。IME在TSV整合上的专精实力，可与该公司在标准28奈米CMOS制程via-middle与via-last TSV 技术之研发成果相辅相成，并将大力协助联电扩充CMOS影像感测器的市场，同时巩固技术领导者地位。此次合作也展现联电扩展于新加坡活动触角的信心。市场上对于持续缩小像素，同时又能兼顾效能的需求日益攀升，因而带动了CMOS影像感测技术的兴起，而背面照度式技术则普遍被视为可让微缩至微米级大小的像素，仍保有优异效能的技术解决方案。此次专案目标在于提高像素更微缩的影像感测器之灵敏度，以便支援更高效能的应用产品，包括新世代高解析度的数位单眼像机与数位录影机。