三星提出全新三端元件-石墨烯「势垒电晶体」

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来自三星先进技术研究院( Samsung Advanced Institute of Technology)的一个研究小组稍早前提出全新的三端元件，能够克服之前将石墨烯整合到电路中的问题。「 Barristor 」一词来源于“可变势垒电晶体 (variable barrier transistor)”。

石墨烯是单层碳原子，自被发现以来就备受注目，因为石墨烯的电子迁移率比矽高两百倍。但石墨烯一度只是导体和绝缘体——直到半导体石墨一氧化碳近期被发现。石墨烯的金属特性及其强导电性也伴随着缺少电滞和开关导通机制的缺陷。

三星在一份申明中表示，将石墨烯转换为半导体会降低它的电子迁移率，给它的优势打折扣，从而导致业界对石墨烯电晶体可行性生疑。

三星先进技术研究院是三星电子的核心研发力量，它的研究团队近期发表了石墨烯势垒电晶体( GrapheneBarristor)论文。石墨烯势垒电晶体是一种采用闸控萧特基势垒(Gate-Controlled Schottky Barrier)的三极管元件，论文于5月17日在《Science》杂志线上发布。

申明称三星先进技术研究院开发出一种元件，能够在不影响迁移率的情况下关闭电流。关键是石墨烯和氢化矽之间的一条原子般纤细的介面，并且通过调节闸极电压控制石墨烯-矽肖特基势垒实现105的开关速度。

研究人员报告称p型和n型石墨烯势垒电晶体以及逆变器和半加法器逻辑电路的生产都在150mm晶圆上完成。三星先进技术研究院称自己拥有九项石墨烯势垒电晶体结构和运行方法相关的主要专利。