关于MOS模型的nqsMod

moonnejs

工艺库里面的mos模型中nqsMod设置基本是
nqsMod=0，elm=0；
也就是不考虑非准静态效应。


但是在比如LNA的设计中，非准静态效应是比较重要的，mos的栅噪声就是由于非准静态效应产生的。


我把tsmcrf18工艺库mos模型文件中参数改成
nqsMod=1，elm=5；
后再做源电感结构的LNA仿真，发现输入阻抗都会有二十欧姆的差别。


想请教下流片的结果，会和哪种情况比较接近

moonnejs

BSIM3v3.2.2   关于nqsMod的解释
The channel of a MOSFET is analogous to a bias dependent RC distributed
transmission line (Figure 5-la). In the Quasi-Static (QS) approach, the gate
capacitor node is lumped with both the external source and drain nodes (Figure 5-
lb). This ignores the finite time for the channel charge to build-up. One Non-
Quasi-Static (NQS) solution is to represent the channel as n transistors in series
(Figure 5-lc). This model, although accurate, comes at the expense of simulation
time. The NQS model in BSIM3v3.2.2 was based on the circuit of Figure 5-ld.
This Elmore equivalent circuit models channel charge build-up accurately because
it retains the lowest frequency poleof the original RC network (Figure 5-la). The
NQS model has two parameters as follows. The model flag, nqsMod, is now only
an element (instance) parameter, no longer a model parameter. To turn on the NQS
model, set nqsMod=l in the instance statement. nqsMod defaults to zero with this
model off.

thyo

回复 1# moonnejs

作同样的修改，我仿真发现噪声系数不升反降..

moonnejs

回复 3# thyo


听论坛其它朋友说好像BSIM3V3的模型是不考虑非准静态效应引起的栅诱导噪声但是非准静态效应让输入阻抗变大了啊
噪声系数怎么会不升反降呢
除非你原来的输入阻抗是偏小的
我最近在《CMOS射频集成电路分析与设计》池保勇 余志平 石秉学，清华大学出版社这本书的p198
里面看到了作者也提到了非准静态效应会让输入阻抗实部增加一个分量
和我修改模型里的非准静态效应参数后的仿真结果是一致的
希望有经验的朋友 或者流过片 比较过 修改和没修改模型里的非准静态效应两种情况的朋友 能给个确切的答案

moonnejs

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