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[解决] 标准单元做DRC检查

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发表于 2012-5-14 14:59:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 e07610230 于 2012-5-15 10:59 编辑

在用到smic65nm工艺标准单元的时候,比如DELVHS4,对它单独做DRC的时,会报这样的错误:
1.bmp
2.bmp

现在的情况是我在画模拟电路版图的时候需要这个单元,于是调用进来,跑DRC也出现这个错误,请问这个怎么修改?看了design rule 没有找到相关的信息。具体报错到版图上是在此单元的nmos里面的AA边上。如图:各位大神可以帮忙看一下吗?
   3.bmp 4.bmp 5.bmp (NW)
发表于 2012-5-14 16:22:26 | 显示全部楼层
貌似在65nm工艺里,单个的std cell是不带pick up tap的,所以单独run DRC可能有latchup的错。你调用stdcell时就近加一些pick up就不会报错了
发表于 2012-5-14 17:09:31 | 显示全部楼层
同意樓上的說法
在 cell lib 中應該有單純 pick up 的cell
參一些在 cell row 中 應該就可以解決
 楼主| 发表于 2012-5-14 21:38:58 | 显示全部楼层
回复 2# zh1898


    pick up  指的是nw吗?还是其他的东西?对于我这一个标准单元,一半是pmos,另一半是nmos。当时两边都会报错的。后来我把pmos那边的nw延伸到外边的nw。再跑DRC,pmos边的错误就没了的。但是nmos那边的error还在,单独加pw也不行,只能是把整个标准单元都加上pw才能通过。不知可不可以这样?
 楼主| 发表于 2012-5-14 21:39:49 | 显示全部楼层
回复 3# motofatfat


    你指的是nw或者pw吗?
发表于 2012-5-15 08:45:58 | 显示全部楼层
smic65不需要特别加pw的 只要加衬底就不会报错

这个错误是因为单独调了cell 如楼上所说
发表于 2012-5-15 09:20:35 | 显示全部楼层
cell 名稱 每個 lib 不同
cell 上只有 NW 和 PW
NW 有 N_DIFF , PW 有 P_DIFF
當作 BODY , S G D B 中ㄉB
那個CELL 就是 PICK UP ㄉ CELL
 楼主| 发表于 2012-5-15 10:59:23 | 显示全部楼层
谢谢大家。在nmos外围加ptap就可以了,把电位拉低
 楼主| 发表于 2012-5-15 11:01:34 | 显示全部楼层
谢谢大家。nmos边上加ptap就行  拉低电位
发表于 2012-5-15 13:20:47 | 显示全部楼层
回复 4# e07610230


pick up就是衬底接触,是在NWell加N-tap(NDIFF),并tie到H (VDD),在PWell里加P-tap(PDIFF)并tie到L (GND),这样既可反偏P/NMOS的S,D端寄生二极管,又可降低P/N well的body电阻,减少latchup发生。。。

在数字版图中,如果std cell不包含pick up,做place之前要按照相关的rule先加well tap cell(可能还有别的叫法),这个well tap cell是一个单独的std cell,一个cell里包含了N型和P型的pick up tap,具体用法可参考相关std lib的document.

如果analog layout里调用std cell,则要手工加pick up,
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