boostrap开关可靠性问题

didibabawu · 发表于 2012-5-6 11:13:40

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使用boostrap开关时，开关管的栅极电压理论上应该是vdd+vin，这样会导致栅极与衬底的电压过大，是否会造成开关管的可靠性受到影响呢，也就是寿命受到影响。我看到有人在1.2V的电源电压上用2.5V的管子做开关管，应该也是顾虑到了这个问题。如果就用1.2V的管子做开关管，是否就不行了呢？

hsphy · 发表于 2012-5-6 13:48:13

确实有这个问题，尤其是如果VDD偏高的话就会有问题。我之前做的bootstrap是用0.18um工艺里面的3.3V管子，也是出于可靠性的考虑

小飞侠111 · 发表于 2012-5-6 14:01:03

看到过论文讨论了这些问题，你可以搜搜看。

fuyibin · 发表于 2012-5-6 15:55:15

回复 1# didibabawu
可靠性应该没有问题，gate虽然被提升起来，但是gate到channel的电压不超过vdd，剩余的电压落在沟道下方衬底的耗尽层上，没有问题，反而是有一个tie low的nmos是有over stress的，所以要做cascode tie low

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