在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 2951|回复: 1

[求助] LDO调整管的问题

[复制链接]
发表于 2012-4-18 12:06:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
各位大大 准备做一个LDO  资料上说调整管一般用PMOS  原因有以下几个:
1:pmos栅压加低压,容易实现,而nmos需要在栅极加升压电路,这个我能理解。
2:pmos的导通压降较nmos小  这个是为什么  查了很多资料 还是不太懂  还有下图

file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/ksohtml/wps_clip_image-3249.png

这是我从cmos high efficiency on-cheap power management这本书上找到的,分析了用pmos和nmos两种结构的区别,对于pmos,最小压降就是过驱动电压,对nmos,最小压降是vgs=von+vth,即比过驱动电压高了一个阈值电压,不是很理解哦,请高手指导...

发表于 2012-4-28 10:38:40 | 显示全部楼层
回复 1# I_Am_Learning


    你自己不是解释得已经很清楚了吗
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-20 18:14 , Processed in 0.017759 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表