@tan-tt
费米能级的钉扎是一个过时或者即将过时的概念,首先出现是为了解释金属与半导体接触时,接触势垒与金属的功函数关系不是那么大,从而引入了一个表面态钉扎费米能级的概念,而实际上,近20年来关于肖特基势垒的研究已基本否定了这一概念,或者摒弃了这个概念。就像Raymond T. Tung在2001年的Materials Science and Engineering Reports上说的一样,费米能级钉扎只是似是而非的表面现象,而不是肖特基接触势垒的本质。("FL-pinning" is actually a term borrowed from the literature used to describe a seemingly similar phenomenon observed at semiconductor surfaces and semiconductor-snsulator interfaces. )更多的研究认为,SBH是由界面反应以及界面相控制的,而不是什么所谓的费米能级钉扎!
费米能级钉扎概念还被用于解释高阻半导体的高阻形成机制。典型的如半绝缘的GaAS的高阻形成机理,认为是深能级钉扎了费米能级,这一概念也存在同样致命的漏洞,只是目前还没有更合适的模型和概念出现。