新思科技推出3D-IC initiative新技术

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全球半导体设计、验证、制造软体暨IP领导厂商新思科技(Synopsys)日前宣布利用3D-IC整合技术加速多晶片堆叠系统(Stacked Multiple-die silicon System)的设计，以满足当今电子产品在运算速度提升、结构尺寸缩小及功耗降低等面向上的需求。此外，新思科技3D-IC initiative也将与IC设计与制造之领导厂商密切合作，以提供全方位EDA解决方案，其中包括IC实作(Implementation)及电路模拟(Circuit Simulation)产品的强化版本。

3D-IC技术弥补传统电晶体微缩(Transistor Scaling)的不足，让设计人员借由让多个晶片垂直堆叠或在矽基板(Silicon Interposer)上达成2.5D的平行排列(Side-by-Side)，以实现较高水准的整合。3D-IC整合则是采用矽穿孔(Through-Silicon Via；TSV)技术，是一种取代传统晶片堆叠打线接合(Wire-Bonding)步骤的互连新技术。使用TSV可增加晶粒内的通讯频宽、缩小封装结构尺寸，并降低多晶片堆叠系统的功耗。

新思科技3D-IC initiative的构想始于半导体装置层级，多晶片堆叠纳入具有不同热膨胀系数的各式材质，然而因为热感失谐(Thermal mismatch)的缘故，任何温度变化将会产生材质应力(Material stress)，进? 蚞伬P矽晶损毁并影响电晶体的效能。此外，TSV、微凸块(Microbump)及其他锡焊凸块(Solder Bump)也会在周遭产生永久应力。新思科技的Sentaurus Interconnect TCAD工具能分析这些影响并在晶片堆叠中形塑TSV，让效能和可靠度达到最佳化。而晶圆厂等半导体公司使用建模结果设计一套特别针对3D-IC整合的设计规则以确保产品的可制造性及信赖度。

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有没有相关的ebook讨论3D-IC里面的TSV?