SMIC CMOS工艺的几个参数？？？

jiankefeng · 发表于 2012-3-27 04:35:08

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本帖最后由 jiankefeng 于 2012-3-27 04:38 编辑

在看一篇学位论文，关于CMOS LNA的设计，论文使用了几个参数，不知是哪里来的，自己查看了几份官方文档，都没发现，请问大家“这些参数的值，在哪里可以找到？”

MOS管参数：
单位栅氧化层电容（gate oxide capacitance per unit area）：Cox=9mF/(m^2)；
体效应参数（body effect parameter）：r=3；
×××（one measure of the departure from the long-channel regime）：a=0.5；
NMOS载流子有效迁移率（NMOS charge- carrier effective mobility）：un= 3.4*10^(-2) (m^2)/(VS)；
SMIC0.18um RFCMOS工艺提供的NMOS晶体管的宽度最小为：60um。

使用元件参数（这能精确到小数点后几位的数是怎么取到的啊？）：
（如，原文：“工艺库可选择的实际可行的电感值并不是连续的，在计算时，首先选定Lg2为16.301nH，然后计算Lg1和Cg1的值” - 为计算不定方程组）
Lg2=16.301nH；
C3=C4=0.62pF；
L3=10.55nH。

wufuwei · 发表于 2012-3-27 11:58:23

同问，同学习

zhuyujun · 发表于 2012-3-27 12:36:19

同问，同学习

mickey1999 · 发表于 2012-3-27 13:33:05

在MOS model中可以找到MOS管的参数，有些参数可以计算出来！

jiankefeng · 发表于 2012-3-28 10:43:26

可是我查了很多官方的文档，都没发现如“单位栅氧化层电容”，或是“工艺提供的NMOS晶体管的宽度最小”这些参数值。继续等待，望大家帮忙。。。谢谢！

jiankefeng · 发表于 2012-4-4 01:26:36

再顶一次再顶一次

jiankefeng · 发表于 2012-4-11 10:47:05

Doesn't anyone have an idea or any comments?

chensidi · 发表于 2013-4-3 18:44:32

楼主，我也是做低噪声的，我也想知道怎么去找工艺参数

zrseu · 发表于 2013-7-21 16:20:56

同问同问

will199321 · 发表于 2016-5-24 10:50:50

学习学习

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