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楼主: jxjxhwx

[讨论] 单级放大器增益一般为多少啊?.13um工艺

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 楼主| 发表于 2012-3-29 10:47:51 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
发表于 2012-3-29 10:56:40 | 显示全部楼层




    请教这个,尾管栅压与NMOS阈值相差几十mV的样子吧? 这样在电路中会不会有什么不好的影响。。。
在学校的时候经常说要有个0.2V的过驱动电压的说~~~
ps:为了这个0.2V,最近经常用倒宽长比的NMOS管。
发表于 2012-3-29 10:58:43 | 显示全部楼层
回复 1# jxjxhwx


    我觉得你可能静态工作点设计的不是太好,一级增益应该能够轻松达到20dB+的。
发表于 2012-4-6 23:35:32 | 显示全部楼层
单级可以考虑让对管工作在亚阈值区。
发表于 2012-4-7 02:06:50 | 显示全部楼层
单级要gain用cascode
发表于 2012-4-7 13:24:25 | 显示全部楼层
偏置电流取1u,L取4试试,应该在60以上!
发表于 2012-4-9 11:18:59 | 显示全部楼层
回复 1# jxjxhwx

电流使劲小,栅长使劲大 ,增益会很大
发表于 2012-4-9 14:08:57 | 显示全部楼层
单级放大器增益可以通过增加输入管跨导或者mos负载电阻,前者可以通过减小bias电流实现,让其工作在weak inversion. 后者可以通过减小bias 电流或者减小沟道长度调制系数(lamda)实现. .13um工艺取2um的gate length lamda就快小到饱和了.
发表于 2012-4-15 00:37:33 | 显示全部楼层
回复 19# s2is

gm不是与Id成正比吗,怎么还减小偏置电流?
发表于 2012-4-15 12:37:29 | 显示全部楼层
还要看带宽
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