中芯发布0.11μm超高密度IP库方案 可节省31%芯片面积

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中芯发布0.11μm超高密度IP库方案 可节省31%芯片面积

集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”)日前宣布，其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。 中芯国际该通过硅验证的超高密度(Ultra High Density)IP库解决方案，包含中芯国际基于更小存储单元(bit cell)自主研发的超高密度IP，以及Mentor Graphics开发的cool-memory IP库(MemQuest存储编译器)。其中中芯国际的超高密度IP库包含： 6-Track超高密度的标准单元(standard cell)库，超高密度存储编译器，和超高密度标准输入输出接口(I/O)单元库。Mentor Graphics开发的 cool-memory IP库则包含了 coolSRAM-6T，coolREG-6T，coolREG-8T(Dual Port)，coolREG-8T(Two Port)，以及 coolROM。该统一的IP库解决方案可供中芯客户免费使用,提供在功率优化，速度以及密度上不同的配置，以满足客户需求。 中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案，与传统IP库相比，可使客户在设计上平均节省31%的芯片面积，大大提升了中芯国际在0.11微米工艺节点上的成本优势。此次通过硅验证的0.11微米超高密度IP解决方案，可以被广泛应用在移动存储设备、闪存控制器、移动多媒体播放器、数字电视、机顶盒等领域。 “中芯国际0.11微米铜制层生产线极高的工艺稳定性得到了客户的认可。中芯国际铜制层生产线量产至今，采用中芯国际0.11微米IP库的晶圆累计出货已达到十几万片，”中芯国际产品市场处高级总监陈昱升表示。“中芯国际北京12英寸和上海8英寸晶圆厂，可以根据客户的芯片尺寸和数量提供灵活的定制性服务，极大地满足了不同类型客户的流片需求。搭配0.11微米后段铜制程超高密度IP库解决方案，将可进一步帮助客户大大降低其制造成本，提高市场竞争力。”