RFID中使用Flash的厂家

txdycmdr · 发表于 2012-3-5 13:31:34

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为什么国内厂家只有同方微电子出的RFID使用大容量Flash，华虹复旦的都是EEPROM
同方很牛么？
同方spec如下

outnut · 发表于 2012-3-5 15:56:21

不光与Flash的容量有关，还有Flash的功耗相关、Flash的页面大小等等

amodaman · 发表于 2012-3-7 00:51:20

Flash的功耗有多大？

txdycmdr · 发表于 2012-3-7 09:06:54

回复 3# amodaman

各个厂家都没有给数据，假如是NOR型eflash，一个page 128byte，应该在50uA的级别

txdycmdr · 发表于 2012-3-7 09:10:41

回复 2# outnut

你可了解为何只有同方用Flash，其他的都用E2，业内除了英飞凌的solid-flash，即使NXP也只用E2
从国内研发水平说，同方应该是这几家里比较弱的才对

amodaman · 发表于 2012-3-7 09:12:03

是擦写的功率吗? 不会是读的功率吧? 而且eFlash不需要高压的，不知道这些电流花在哪里了。

过路心客 · 发表于 2012-3-7 09:49:38

通常用eeprom不用eflash的原因主要有：
1. 传统上eeprom的擦写次数比eFlash的多，比如eeprom bit cell擦写次数现在通常宣称到100万次甚至是500万次，而常见的eFlash的擦写次数在10万次到50万次；
2. eeprom的擦写是利用FN-tunel效应，所需电流很小，电路中的电流主要耗在漏电流上；eFlash在program时要用到Hot carrier效应，有电流负载，所以charge pump的功耗比较大，（楼上说eFlash擦写不需要高压是不对的，只是和eeprom所需的高压不一样而已）。
3. 容量比较小时用eFlash面积上并不见得有优势。

但是现在技术的发展，特别是eFlash的技术发展很快，eFlash的bit cell也有好几种，它的性能也在不断的提高中，以后高端智能卡用大容量eFlash可能也是趋势之一。

楼主还可以了解下同方是在哪里流片，用的是谁家的eFlash工艺，再直接去看这家厂商eFlash的性能指标。

txdycmdr · 发表于 2012-3-7 17:01:56

回复 7# 过路心客

同方貌似是用华虹0.13um流片的，但是具体参数和ip spec都无法得到，看了同方产品
1 国内只有同方一家使用Flash
2 同方芯片的spec跟英飞凌非常相似

amodaman · 发表于 2012-3-7 17:06:11

Foundry有很多家在推eFlash的工艺的，为什么都没推出去呢？奇怪。

过路心客 · 发表于 2012-3-7 17:22:36

回复 8# txdycmdr

HHNEC 0.13um eFlash 是 license 别人家的，哪家我给忘了，但我记得是SONOS工艺，这种工艺下的擦写功耗也是比较小的（没有用到hot carrier）。据说面积也很小，HHNEC 大力在推这个工艺，看上去有竞争力，详细情况还欠了解。

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