high side nmos vs symm hi volt nmos

peterlin2010 · 发表于 2012-2-9 11:28:03

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一般 hi volt process , 有些 hi volt process Hi volt nmos 的 source 到 bulk端是不耐高壓,  是 10v breakdown
只有 drain 端可耐高壓 ..

如過 nmos source 要耐高壓  ..
是否  high side nmos
那還 symmertic hvnmos  s/d 端可耐高壓  . 那兩者有何差 ?
另外還有 hvnmos_iso ..如果是 iso nmos 應該  source 端也能耐高壓 .

ldnmos  vs dmos 是否
ldnmos  Rds 比 dmos 小 ?

byronzhao · 发表于 2012-2-15 10:02:44

high-side nmos是用在高端的，靠高端的总隔离来实现耐高压的。
symmertic hvnmos 是对称高压NMOS，也就是说drain/source可以互换，常规的话可以耐高压。
ldnmos是横向高压NMOS，面积应该更大；
rds估计也不小……具体看工艺了，多看看工艺文件，很简单就有区别了。

Juneje · 发表于 2018-2-10 23:07:47

Thanks for sharing

wolfmike2020 · 发表于 2022-3-5 08:11:23

受教了

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