power MOS driver layout那方式會比較好

peterlin2010 · 发表于 2011-11-11 18:09:15

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power driver layout那方式會比較好

一般是
a. finger
最多人用的
b. finger + snake => 分段 turn -on

3. 井狀 waffer => 這個有一說會降地 R_out

還有其他方法嗎 ?
以前看書畫過階梯類
但是 cmos 好像多是用 finger ..不調 process ..PWM driver 要如何縮小 ?? 因為是 cmos
不是 Bi-cmos 也沒法用 bipolar 來推 ..

cxl666 · 发表于 2011-11-14 13:20:17

用曲栅结构吧，可以避免雪崩击穿。

peterlin2010 · 发表于 2011-11-14 17:14:16

VGS 又不會打穿 gate oxide 那來 breakdown ?
我是指 40v power mos drive
vgs =40v vds=40v process ..
40v 是 ok 的 .

magicdog · 发表于 2011-11-14 21:31:12

基本上都是finger的做法吧尤其是HVCMOS，可以玩的花样比较少了

sascha362 · 发表于 2012-6-24 21:14:13

同意樓上的說法當使用HVMOS元件的確可以玩的花樣就是只有一種～～

[求助] power MOS driver layout那方式會比較好

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