求助

ICLAOUT

我们知道当Vgs>Vth（管子开启）且为一确定值，且Vgs-Vds=Vth，即Vgs-Vds-Vth=0时，沟道预夹断。若Vds增大，沟道夹断区也将变宽，此时Vgs-Vds-Vth<0。所以可得，上式左边的差值越小于0，夹断区就越宽。。。。那要想夹断区变宽，则可以要么增大Vds，要么减小Vgs（在Vgs>Vth的基础上减小）
今天版图艺术书上看到：高栅-源电压产生大的漏极电流，同时也增加了夹断区的宽度。。。。意思就是当Vds一定时，Vgs越大，夹断区越宽。与上面得到的“减小Vgs”矛盾了啊、、、、
不知道哪里我想错了，求指正。。。

terry8876

好多页？貌似我原来也思考过这问题~

ICLAOUT

回复 1# ICLAOUT

在126页。。。上面也说了“较轻的背栅掺杂能够加宽沟道夹断区”。。。可是轻掺杂→→→Vth下降，也与上面的“差值越小，沟道越宽”矛盾了啊、、、、想不通了啊

terry8876

昨晚看了你的帖子，个人认为觉得你的推导是正确的。
  从早上想到现在，没想通。我还看了英文版教材，我觉得关键就在于书上所说的那个宽度，究竟是指我们看到的剖面图的夹断区的横向长度还是纵向深度。想想刚开始学MOS管时，老把沟道长度等同于栅长，其实沟道长度等于栅宽。一般谈论剖面图的沟道时，横向都说的长度，所以我个人觉得书上这里的宽度指的是纵向的耗尽区深度，这样的话推导就可以解释得通了。
  个人一点拙见，欢迎大虾们指点~

ICLAOUT

回复 3# ICLAOUT


    首先，真的很感谢你的回复，你的想法很有建设性呢。但我还有一个疑惑。
    那句原话是“高栅-源电压产生大的漏极电流，同时也增加了夹断区宽度，从而减低了峰值电场强度”，这里的“电场强度”，指的应该是横向电场的电场强度，（根据前一页最后那段话有讲，推测这部分每次提到“电场”都应该是那横向的电场吧）。既然是能影响横向电场强度，那夹断区宽度也应该是横向夹断区的宽度吧？。。。。。当然如果这里的夹断区“宽度”真是指夹断区的纵向深度，实际情况下对这里的电场强度也应该是有影响的，我只是觉得这样以纵向的深度去影响横向的电场强度，有点点牵强。。。特别是对高中 两个竖着的电极板正对着产生横向的电场 的模型印象深刻。。。

terry8876

如果要理解成横向的话，目前的我算是想不通了，除非高人解答。

perryshao

我觉得楼主说的对

weid

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