5V制程NMOS power switch如何解决耐压问题？

hzcj · 发表于 2011-10-24 16:06:17

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用5V制程做NMOS power switch，gate端用charge pump升到10V，chip Shutdown时用NMOS对power switch的gate电位进行下拉，那么下拉管的VDS要承受10V压差，很可能被打坏，请问各位大侠，有什么好方法解决这个问题吗？多谢了！

jamesccp · 发表于 2011-10-25 17:04:38

堆叠管子了。

wocaishidac · 发表于 2011-10-25 17:27:10

为什么不关掉charge pump？

samuelyou · 发表于 2011-11-2 17:01:36

5V制程怎么可能承受10V，除非你任何时刻都保持每个管子的DeltaV都在5V以内，堆叠功率管不是好办法

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