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[求助] CMOS工艺中背栅有助于防止闩锁效应?

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发表于 2011-10-11 10:34:56 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 2hen 于 2011-10-11 10:39 编辑

未命名.jpg
这个图怎么理解呢?求高人指点。
而在cmos中加背栅怎么就可以防止闩锁效应呢?
未命名.jpg
发表于 2011-10-11 11:45:59 | 显示全部楼层
去看《模拟电路版图的艺术》第4章少子注入那一节你就能明白第一个问题了。
加背栅是防止源/漏与衬底的PN结正偏,也就是防止寄生晶体管开启,管子不开启,就没有闩锁效应了撒~
 楼主| 发表于 2011-10-11 15:09:22 | 显示全部楼层
我知道那个书的,也看了,图就是从那里借来的,但是还是我太没明白。
发表于 2011-10-12 18:12:08 | 显示全部楼层
有助于防止闩锁效应,增加背栅的连接有助于减小图中R1和R2的阻值,但是不可能无限减小,R1/R2减小了有助于提高latchup的防护性能
发表于 2011-10-12 22:48:14 | 显示全部楼层
回复 3# 2hen


    哪里没明白,还是背栅问题?
 楼主| 发表于 2011-10-13 15:19:29 | 显示全部楼层
“有助于防止闩锁效应,增加背栅的连接有助于减小图中R1和R2的阻值,但是不可能无限减小,R1/R2减小了有助于提高latchup的防护性能”
这个好理解一些。

只是明白的有些晚。不过今天听到一个解释说,如果加了背栅,那么会使得寄生管发射极短路,那样就不能形成闩锁了。
 楼主| 发表于 2011-10-13 15:22:21 | 显示全部楼层
“有助于防止闩锁效应,增加背栅的连接有助于减小图中R1和R2的阻值,但是不可能无限减小,R1/R2减小了有助于提高latchup的防护性能”
这个好理解一些。

只是明白的有些晚。不过今天听到一个解释说,如果加了背栅,那么会使得寄生管发射极短路,那样就不能形成闩锁了。
发表于 2011-10-13 16:09:39 | 显示全部楼层
受教了,谢谢分享~~~
发表于 2011-10-14 12:44:14 | 显示全部楼层
各位指的加背栅如何实现?在衬底加负压或在NWELL上加大于VDD的电压?
发表于 2011-11-11 11:25:32 | 显示全部楼层
弱弱的问一句 什么是 背栅?
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