求问，关于ADS2008射频电路设计与仿真实例中，关于功放的疑问

haoranli · 发表于 2012-8-15 17:11:53

多谢楼主分享

tyenergy · 发表于 2012-8-18 20:07:23

楼上的讨论都不错，目前正打算从RF passive circuit向active 方向扩张，可以多交流

jsffjsff · 发表于 2012-8-20 14:35:52

回复 1# caoshangfeima

顶一下

windyyun · 发表于 2012-8-26 18:15:20

回复 6# chenjin0011

电阻和电容的并联式提高稳定性的一种方式。

chenbenzheng02 · 发表于 2012-9-24 16:06:44

LDMOS管器件模型的那个引脚是接地的，我一般仿真的时候都接上了地。
栅极偏置线上的那个电阻是用来提高稳定性的，一般来说选用5欧姆或者10欧姆，当然这个电阻越高稳定性越好，但是会引入较高的记忆效应
对于不稳定的功放管，可以认为其输入阻抗的实部是负阻，在功放的输入匹配前加一个串联或者并联电阻，都能够增加输入阻抗的实部，使其大于0，从而避免自激，

lkt1106 · 发表于 2012-9-27 23:16:00

T是温度的意思，在模型仿真的时候用来提取温补斜率

栅极加偏置电阻主要是为了起到隔断射频信号的作用，令一方面也可以提高管子的稳定性

21337924 · 发表于 2014-4-28 23:27:16

路过的！！！

mousehouse · 发表于 2014-5-8 15:53:22

还不错，好好看看

zhangweizju · 发表于 2014-5-31 12:30:44

栅极加电感或扼流圈是为了隔离RF成分，加电阻是调整偏置电压

angelaboy · 发表于 2014-7-27 23:53:13

just for the review and the beginner

[资料] 求问，关于ADS2008射频电路设计与仿真实例中，关于功放的疑问

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