在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: terry8876

[求助] 看模拟版图艺术时的一点疑惑

[复制链接]
发表于 2012-4-15 13:58:12 | 显示全部楼层
经验要吸取!
发表于 2012-4-16 15:23:31 | 显示全部楼层
回复 3# bellona


   

     你的回答很有深度,非常感谢,学习了。但对于第二个问题的回答是不是有笔误?

     原文“ 第二个问题二楼已经回答的很好了,栅氧太薄耐受的栅极电压过低,而且也会因为隧穿效应导致栅极漏电流过大。因此只能选择高K材料以保证厚栅的情况下仍能得到类似于薄SiO2栅的沟道控制能力(类似gm) ”
     我觉得似乎应该是“第二个问题二楼已经回答的很好了,栅氧太薄耐受的栅极电压过低,而且也会因为隧穿效应导致栅极漏电流过大。因此只能选择高K材料以保证栅的情况下仍能得到类似于SiO2栅的沟道控制能力(类似gm)”

    lixaiojun707
发表于 2012-4-17 13:01:55 | 显示全部楼层
又学到了东西
发表于 2012-4-27 08:44:59 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2012-4-27 10:43:25 | 显示全部楼层
看不懂,外行人,请多指教~~~
发表于 2012-4-28 20:20:43 | 显示全部楼层
受教了
发表于 2012-6-21 11:38:37 | 显示全部楼层
回复 12# lixiaojun707


    Cox=介电常数/氧化层厚度,高K情况下,氧化层可以更厚,等效的sio2氧化层比较薄
发表于 2012-8-3 23:20:24 | 显示全部楼层
受教了
发表于 2012-8-5 18:58:42 | 显示全部楼层
这个去看下半导体物理与器件的书你就什么都明白了
发表于 2014-1-7 15:37:50 | 显示全部楼层
不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 11:48 , Processed in 0.020596 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表