看模拟版图艺术时的一点疑惑

meacyl_gary · 发表于 2012-4-15 13:58:12

经验要吸取！

lixiaojun707 · 发表于 2012-4-16 15:23:31

回复 3# bellona

   你的回答很有深度，非常感谢，学习了。但对于第二个问题的回答是不是有笔误？

   原文“ 第二个问题二楼已经回答的很好了，栅氧太薄耐受的栅极电压过低，而且也会因为隧穿效应导致栅极漏电流过大。因此只能选择高K材料以保证厚栅的情况下仍能得到类似于薄SiO2栅的沟道控制能力（类似gm） ”
   我觉得似乎应该是“第二个问题二楼已经回答的很好了，栅氧太薄耐受的栅极电压过低，而且也会因为隧穿效应导致栅极漏电流过大。因此只能选择高K材料以保证薄栅的情况下仍能得到类似于厚SiO2栅的沟道控制能力（类似gm）”

lixaiojun707

liuyiwuliao · 发表于 2012-4-17 13:01:55

又学到了东西

zheng_s_p · 发表于 2012-4-27 08:44:59

谢谢分享

电气化铁路2 · 发表于 2012-4-27 10:43:25

看不懂，外行人，请多指教~~~

liuyi1010101010 · 发表于 2012-4-28 20:20:43

受教了

ysuzxp · 发表于 2012-6-21 11:38:37

回复 12# lixiaojun707

Cox=介电常数/氧化层厚度，高K情况下，氧化层可以更厚，等效的sio2氧化层比较薄

林夕种 · 发表于 2012-8-3 23:20:24

受教了

kenliu · 发表于 2012-8-5 18:58:42

这个去看下半导体物理与器件的书你就什么都明白了

yu900218 · 发表于 2014-1-7 15:37:50

不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错不错

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