请教大虾们

ICLAOUT · 发表于 2011-7-22 15:17:29

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

求教各位大大：扩展电压MOS，高压MOS，功率MOS，DMOS之间的关系是什么呢？范围。。。

onlykals · 发表于 2011-7-26 11:11:41

我來試試看，還請各位可以指教

一般來說，高壓MOS就是可以耐高電壓的MOS，結構可能與一般傳統MOS不同，耐壓的範圍依照FOUNDERY廠提供之DVICE而定，一般來說NTYPE有NLD，PTYPE有PA。

功率MOS我不太確定，應該指的是在定電壓下可以流過大電流(P=VI)，耐受高功率之mos，此類型mos最重要的應該是它Rds(on)的值，值越小越好，代表產生及散佚的熱能越少。

DMOS則為一種與CMOS結構相似卻不同之元件，你說的HVMOS及功率MOS應該都是DMOS，多用於driving，相較之下不適合作為logic (因為實在太大了，logic通常用CMOS做)

而目前的趨勢是將BJT, CMOS, DMOS做在同一片CHIP上，也就是hv bcd 製程，
有興趣可以就bcd製程收尋一些資料看看

有錯誤煩請指正

jian1712 · 发表于 2011-7-30 21:40:57

1,扩展电压MOS和高压MOS可以统称为HV Device,这种器件的为了达到较高的工作电压，所以会在工艺上多加一些Mask，提高其工作电压，但是这种器件的size会比较大，Rdson也会比较大
2,功率MOS,对于integrated power mos,我们通常习惯将尺寸比较大的mos管称为功率MOS,它的工作电流会比较大，所以为了减小MOS本身的功率损耗提高系统的效率会尽量将其的Rdson做的小些，所以size会比较大
3,DMOS通常都是HV device,尽管扩展电压MOS和高压MOS能够耐高压，但是其Rdson不太理想，所以DMOS是在HV MOS的基础上设计出来既能耐高压，Rdson又比较小的器件。这种器件以LNDMOS为例，它的沟道长度是通过pwell和source端的N+横向扩散的差值决定的，但是这种器件用到mask会比较多，所以工艺价格也是比较高的

拙见而已，欢迎指正。谢谢。