在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3437|回复: 7

在做CMOS射频电路时,如果栅和耦合电容串联后连到PAD上.还要不要做静电保护电路?

[复制链接]
发表于 2006-11-2 23:24:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在做CMOS射频电路时,如果栅和耦合电容串联后刼到PAD上.还要不要做静电保护电路,我觉得应该不用了,因为耦合电容把栅和PAD隔离开了.静电串不到栅上了.大家谈谈各自的意见.
 楼主| 发表于 2006-11-5 00:23:40 | 显示全部楼层

没有人知道啊。

大家不都是说自己在作RF IC吗,难道都不知道吗?
发表于 2006-11-5 10:58:02 | 显示全部楼层

我觉得要做的

esd很高的
会把电容击穿吧
 楼主| 发表于 2006-11-5 22:14:03 | 显示全部楼层

有道理,多谢了。

多谢了。多谢了。
发表于 2006-11-6 09:38:00 | 显示全部楼层
如果pad连到内部电路的gate,esd瞬时高压会通过cgs打到gate吧,取决于你耦合电容和cgs的比例。
另外就是楼上说的,耦合电容本身是否能承受esd的瞬时高压。
发表于 2007-1-8 19:22:49 | 显示全部楼层
多谢了。多谢了
发表于 2010-8-20 16:44:27 | 显示全部楼层
Can i also get the pad circuit ?
发表于 2010-8-20 16:58:01 | 显示全部楼层
取决于耦合电容
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-21 15:03 , Processed in 0.029591 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表