请大侠们指点65nm设计注意事项

apacheda · 发表于 2011-9-13 19:03:53

那种东西也就是拿来参考参考。
关键是要知道为什么要那么做。

hawkz · 发表于 2011-9-14 09:02:37

65nm从文档上看虽然只是多了些要求，但这些要求加上65nm本身的物理特性，还是会带来不少麻烦的，特别是对于之前一直做.13/.18工艺的。

首先Signoff要看的scenario比之前多好多，这也就导致Timing OPT的时候要收敛的view多好多，这样首先PR流程一定要切到MCMM模式，用BCWC会累死，而且OPT的时间也长很多，特别是大规模的项目，不过现在新出现的Signoff ECO工具在能解决一些问题。

其次是65nm在Min/Max不同Corner下的延时漂移更厉害了，而且PR工具的RC Extract引擎和Signoff RC Extract引擎的偏差也变大，这样使得一些Setup/hold要求很严格的路径（比如DDR interface）的收敛变得更难，以前用OPT闭着眼睛也能修的Violation，现在要很仔细的分析data/clock path, 手工place，利用Useful Skew才能搞定。

第三是65nm工艺SI的必查的signoff选项，所以又给原来就苛刻的Timing加了一道限制，特别是PTSI报出来的SI incremental delay很悲观，而且这些路径在AR工具中往往看不到或者猜不准，所以经常导致到了Signoff阶段还发现一大堆SI没有收，所以用适当的Signoff SI工具，提前评估SI，必要的时候用SPEF/SDF反标注的做法来对付SI问题（而且是MCMM的SI哦）。

其他的当然还有一些复杂的Design rule，不过现在的Routing引擎好像对付得比较好啦；至于DFM，65nm的时候还是可选项，TSMC也提供DFM服务，花钱就行；另外还有就是Leakage变大了，特别是高速高温的情况下，Leakage大好多啊，一般项目尽量用LP工艺吧，如果不追求很高速度的话。

semico_ljj · 发表于 2011-10-8 11:40:19

nice。。。

huolongzhenjun · 发表于 2011-10-8 15:21:22

回复 6# icfbicfb

thank you

sendfast2008 · 发表于 2012-9-12 16:19:59

谢谢12楼分享经验

kubilago · 发表于 2013-2-5 16:12:07

12F很棒的分享, 感謝!

half_honey · 发表于 2013-2-16 13:14:32

路过感谢12楼分享经验

cancan77 · 发表于 2013-11-15 11:41:50

12楼辛苦啦

herrzhou · 发表于 2014-6-27 16:36:20

谢谢楼主

trippa · 发表于 2014-6-28 09:52:26

谢楼上分享经验

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