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楼主: wwj小耳朵

关于LDO中的反馈电阻

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 楼主| 发表于 2011-7-19 07:14:09 | 显示全部楼层
[b]采用MOS 管作电阻,主要是可以减小芯片面积,根据需求来确定是用MOS管还是采用普通电阻,谢谢楼上各位给的意见和建议了,我觉得主要还是看芯片的需要,呵呵
发表于 2011-7-22 23:49:03 | 显示全部楼层
具体的原理图怎么样?
发表于 2011-7-25 18:31:24 | 显示全部楼层
还是没有看太明白啊
发表于 2011-8-9 19:18:02 | 显示全部楼层
普通电阻一般面积大,但匹配度好。MOS管做电阻可以面积小,匹配度不高。
发表于 2011-10-31 13:52:11 | 显示全部楼层
MOS resistors can achieve relatively large resistance values with relatively small die area, this is important in reducing the standby power dissipation of your LDO; on the other side, MOS resistors are usually supply-depend therefore may need additional regulating circuit to minimize supply sensitivity, even for matched MOS resistors.
发表于 2011-12-22 10:18:12 | 显示全部楼层
Diode方式的电流也很难控制
发表于 2012-10-2 22:41:12 | 显示全部楼层
无图无真相,可否贴着图片上来?
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