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楼主: xksy639

[求助] 带隙基准中的PTAT电流应该选择多大

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发表于 2016-2-3 12:32:59 | 显示全部楼层
回复 3# sh_nouvell

请问如何查看BJT的工作区?做DC仿真的BJT都是工作在1(线性区)的<BTW: BJT的0 1 2 3跟MOS代表的工作区相同么?>
发表于 2016-2-3 15:43:30 | 显示全部楼层
这个取值还得仿真双极型晶体管的I-V特性,你主要用的是Vbe电压,发射极电流达到多少后,Vbe才开始由急速上升到达平缓!这个电流稍微给大点一点,留下一定裕度
发表于 2016-4-13 18:38:05 | 显示全部楼层
求解答
发表于 2023-8-3 14:41:58 | 显示全部楼层
与流过PNP的电流有关,扫描PNP的I/V曲线,当电流低于某值时,微小电流变化将会导致很大的VEB变化,严重影响电路的性能。因为VEB接在运放的输入端,若变化显著会严重影响运放性能,所以应该选择VEB几乎不随电流变化的区域,此时应根据功耗选择合适大小。


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