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[解决] 面积不变的情况下,亚阈区能减少输入对管的阈值电压失配吗?

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发表于 2011-4-22 00:00:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 guang3000 于 2011-4-22 22:46 编辑

例如一级运放, 输入对管有Vth失配,没有k'失配,其它管子理想。
假设工艺为0.5um  

第一种情况,输入对管的尺寸是  20u×10u,处在饱和区,此时查表得 σ△Vth=1mV

第二种情况,输入对管的尺寸是 100u× 2u,处在亚阈区,这个时候饱和区的方程已经不再适用,

亚阈区是指数方程,那么在这种面积相同的情况下,σ△Vth还是1mV这个值么? 还有,蒙特卡罗仿真能仿出这种变化吗?

请高手指点!谢谢!
发表于 2011-4-22 03:23:12 | 显示全部楼层
sigma=A_vth/sqrt(WL),A_vth是个工艺参数,不会随尺寸变得,所以面积定了sigma自然就不变了。montecarlo会给你答案的
发表于 2011-4-22 09:40:45 | 显示全部楼层
mismatch与Vds和Vbs有关,但好像一般与Vgs无关,所以工作在强反型区和弱反型区用的是同一个σ△Vth。
 楼主| 发表于 2011-4-22 22:45:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 guang3000 于 2011-4-22 22:58 编辑




谢谢指点!在格雷书上找到了这样一条弱反型区的公式(1.252) , 里面是包含Vt这个参数的,看上去还是和扎维书上的亚阈区公式不同





mismatch与Vds和Vbs有关,但好像一般与Vgs无关,所以工作在强反型区和弱反型区用的是同一个σ△Vth



谢谢!
p1.jpg
发表于 2011-4-24 22:27:45 | 显示全部楼层
工艺定了,应该只和面积有关
sansen的书上有讲
发表于 2011-4-25 15:25:47 | 显示全部楼层
阈值电压失配是一种随机失配,用工艺本省决定的,与管子工作在那个区没关系,要想减小阈值电压失配,可以增大管子的面积
 楼主| 发表于 2011-4-26 02:38:01 | 显示全部楼层
其实我的想法是阈值电压失配之所以能直接出现在失调电压里面,是因为饱和区方程的推导,饱和区方程当然包含Vt。但是亚阈区的方程没有Vth , 平时一般输入管的Vgs就调到比Vth稍低。难道平时大多数的时候是弱反型区而不是亚阈区?
发表于 2011-4-26 08:35:15 | 显示全部楼层
相同面积下,处于亚阈值的管子的offset要大于处于强饱和区的管子,但是不知道MC能不能仿真出这个效应。估计不能。
发表于 2011-4-26 09:05:49 | 显示全部楼层


相同面积下,处于亚阈值的管子的offset要大于处于强饱和区的管子,但是不知道MC能不能仿真出这个效应。估计 ...
goodsilicon 发表于 2011-4-26 08:35



可有出处?
强反型区的mismatch有Vth、Id和β来表示,那弱反型区的mismatch用什么参数来表示呢?如果没有合适的参数,或者foundry不提供这样的参数,MC分析自然是仿真不出来。
发表于 2011-4-26 09:08:31 | 显示全部楼层


其实我的想法是阈值电压失配之所以能直接出现在失调电压里面,是因为饱和区方程的推导,饱和区方程当然包含 ...
guang3000 发表于 2011-4-26 02:38



以前倒真没有想过这个问题,有时运放的差分对管也工作在亚阈值区,但仍然照以前的方法去仿真了,楼主的思考比较周到。
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