LDO 的相关论文中为何不提及工艺角分析？

LoveMay · 发表于 2011-4-7 11:38:00

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近期看了些LDO的IEEE论文，很迷惑的是几乎没有看到关于LDO在各工艺角下的性能分析的参数。从理论上说，随着工艺尺寸和电源电压的减小，PVT对LDO的影响也应该很大的。可是为什么大家都没有表现自己的工艺鲁棒性呢？

icdreamer · 发表于 2011-4-7 12:40:56

是不是因为低频电路对PVT相对不敏感

LoveMay · 发表于 2011-4-7 13:37:30

焦急等待中。。。

goodsilicon · 发表于 2011-4-7 14:06:57

加了PVT，这文章还怎么发？？

muyu0786 · 发表于 2011-4-7 15:49:37

应该是需要考虑的，但是论文就是论文不是产品，侧重点而已，你可以写一篇关于这个的论文哈

jfyan · 发表于 2011-4-7 18:09:28

应该考虑，可能还有一个原因是PVT的变化及不上Iload的变化吧

LoveMay · 发表于 2011-4-7 18:27:58

的确，负载瞬态响应（表征LDO的Iload的变化对LDO的输出电压的影响）本身就是LDO的设计的指标。然而，我觉得PVT考查的对象和负载瞬态响应的考查对象不同。PVT在任何情况下都会影响LDO的输出（包括Iload没有变化的情况下）。

zhongbo1127 · 发表于 2011-4-7 21:47:52

你看的啥论文啊？？不对哦一般好点的论文都会有点的
侧重点不一样而已

liuxufeishuang · 发表于 2011-4-10 21:00:27

看你的工艺什么样的！这个不好说，没有共性！每个工艺conner都不一样！

zfmdcy · 发表于 2011-4-11 15:23:42

回复 4# goodsilicon

大大滴正解

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