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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › 后端设计 › 后端资料区 › GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明 ...
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楼主: icbbs

[资料] GGNMOS（grounded-gate NMOS）ESD保护结构原理说明

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samgu
发表于 2019-7-14 19:50:34 | 显示全部楼层
thank thank
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dsj83117
发表于 2019-8-25 15:50:19 | 显示全部楼层
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星辰0000
发表于 2019-8-30 10:20:45 | 显示全部楼层
资料不错，谢谢
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rfbeginner
发表于 2019-9-27 14:28:40 | 显示全部楼层
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xiaoquanic
发表于 2020-7-2 11:32:44 | 显示全部楼层
多谢，说的比较详细
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anthonywxz
发表于 2020-7-9 17:28:19 | 显示全部楼层
感谢楼主分享！
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xyzte521
发表于 2020-7-15 11:09:57 | 显示全部楼层
学习了
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rhk451
发表于 2020-7-22 10:09:09 | 显示全部楼层
xie xie
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BlakeLively
发表于 2020-9-6 12:43:14 | 显示全部楼层
感谢分享
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microuser
发表于 2020-9-7 18:57:52 | 显示全部楼层
谢谢分享
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