在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2958|回复: 0

[讨论] subthreshold vs Triode vs Saturation region

[复制链接]
发表于 2011-4-1 23:05:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
这几天看国外的论文,刚好要翻译文献,看到很多文献中说到了这几个区,有些迷茫,特地上网上搜了一下人家写的这几个区的比较。

说得很详细,发上来给大家看一下,加深认识。说得很详细,还有图说明,太好了!

连接在这里:http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-15 01:08 , Processed in 0.029341 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表