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楼主: 323217588

[求助] 如何仿真一个MOS管的特征频率?

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发表于 2011-9-21 22:04:19 | 显示全部楼层
有点忘了,好像是做交流仿真还是瞬态仿真,看栅极的电流和漏极的电流相等,还是增益为1.具体的你理解理解ft的含义吧。
发表于 2012-10-20 11:01:49 | 显示全部楼层
回复 5# helianalog


    cgsbo 是不是只代表 cgs 呢? 特征频率表达式中 Wt=gm/ (Cgs+Cgd); 如果Cgd 不包含在其中,仿真结果是不是不准确呢?另外,按照这个方法,利用0.18um 的模型,做了一个仿真发现当NMOS 的宽度大于10um 时,ft 基本保持不变,但是当W小于10um时,特别是小于5um 时,ft 的仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差较大,不知什么原因导致的,望给予指点。谢谢
发表于 2012-10-20 16:34:14 | 显示全部楼层
回复 5# helianalog


    .probe ft = par('gmo(m1)/(2*3.14*cggbo(m1))')

使用cggbo仿真出来的 ft 结果 比使用cgsbo的值要小很多,到底用哪个合适呢?
我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时,改变W时,ft 基本保持不变,当W小于10um时,例如W=5um,ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大,这是什么原因呢?另外,仿真电路中的漏源电压为何设置为VDD/2 ,而不是其他的值?谢谢
发表于 2012-10-22 14:23:17 | 显示全部楼层
回复 5# helianalog


我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时,改变W时,ft 基本保持不变,当W小于10um时,例如W=5um,ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大,这是什么原因呢?另外,为什么漏源电压取电源电压一半
发表于 2012-10-22 17:07:26 | 显示全部楼层
我使用0.18um模型仿真发现当W大于10um时,改变W时,ft 基本保持不变,当W小于10um时,例如W=5um,ft 仿真结果与当W大于10um时的仿真结果相差比较大,这是什么原因呢?另外,源漏电压为什么取二分之一VDD?
发表于 2012-10-23 21:56:40 | 显示全部楼层
回复 15# rf_ic_layout

不好意思,最近比较忙,来的少了.
你可以下载EE214的lecture看看,里面有讲到.
另外,清华池保勇那本书参考了EE214的课程,里面有讲到,还算详细.
论坛有下载.
发表于 2014-11-6 14:43:04 | 显示全部楼层
回复 5# helianalog


   这是 HSPICE manual里面的解释吗?
发表于 2014-11-25 13:16:27 | 显示全部楼层
在计算ft的公式中Cgs前面为什么要加一个负号啊?
发表于 2014-12-6 10:33:28 | 显示全部楼层
H参数中H21为1的频率就是fT
发表于 2016-11-5 16:38:03 | 显示全部楼层
学习啦,谢啦
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