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介绍0.25um 工艺,全差分SAR ADC设计的不错论文:
该论文设计了一种用于PDA系统的全集成SAR ADC,它基于1st Silicon 0.25
微米n阱CMOS工艺.采用电容电阻混合式结构,由于使用了时问自调节比较器,具有动态的电
荷重分配时间的特点.在此设计中,使用Cadence Design System的EDA设计软件,完成了电路的
设计、仿真、版图设计以及后仿真.仿真结果表明,在各种工艺角、电源电压和温度的组合条
件下,设计的SAR ADC的精度可以达到12 位,采样速率可以达到250ksps.芯片有效面积为
745μm×2000μm |
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