5V工艺做15V器件

zhaoyc

电路设计中，有两个器件需要耐高电压，其他都是5V电压。
版图这么做，能否实现：
不增加层次，增加沟道长度和孔到栅的间距。
只有两个器件，所以并不在意面积。
有没有实际做过的，请留个联系方式。有酬谢。

xiaowanzi88

哥哥，不能这么玩的！如果工艺不支持中压的器件设计，没有PLDD/NLDD是无法扛15V的电压的！你再怎么画也是浮云

ykk1128

一般5V process P/N break-down about 8V 上下,要求15V 不可行.

zq2164

I want to learn this too

xievic

回复 2# xiaowanzi88


    支持你一下

muyu0786

即时做出来风险大大。之前我们在自己工艺下试过，Drian端要well提高耐压，BV=18v没问题，不过IV特性较差

muyu0786

即时做出来风险大大。之前我们在自己工艺下试过，Drian端要well提高耐压，BV=18v没问题，不过IV特性较差

airbirds

没有这么做的吧，耐压主要是由工艺决定，你查下工艺手册，该工艺是否支持耐高压。。。而且你只是扩大宽长，期间特性也会变差。。

cicixu

一般5V process P/N break-down about 8V 上下,要求15V 不可行.

tla02

5v工艺不能做到15v，这个很确定。