5V工艺做15V器件

zhaoyc · 发表于 2011-2-16 15:30:07

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电路设计中，有两个器件需要耐高电压，其他都是5V电压。
版图这么做，能否实现：
不增加层次，增加沟道长度和孔到栅的间距。
只有两个器件，所以并不在意面积。
有没有实际做过的，请留个联系方式。有酬谢。

xiaowanzi88 · 发表于 2011-2-16 21:46:30

哥哥，不能这么玩的！如果工艺不支持中压的器件设计，没有PLDD/NLDD是无法扛15V的电压的！你再怎么画也是浮云

ykk1128 · 发表于 2011-2-20 22:38:46

一般5V process P/N break-down about 8V 上下,要求15V 不可行.

zq2164 · 发表于 2011-2-21 10:36:21

I want to learn this too

xievic · 发表于 2011-2-22 15:32:30

回复 2# xiaowanzi88

支持你一下

muyu0786 · 发表于 2011-3-2 13:50:23

即时做出来风险大大。之前我们在自己工艺下试过，Drian端要well提高耐压，BV=18v没问题，不过IV特性较差

muyu0786 · 发表于 2011-3-2 13:54:50

即时做出来风险大大。之前我们在自己工艺下试过，Drian端要well提高耐压，BV=18v没问题，不过IV特性较差

airbirds · 发表于 2011-3-16 10:46:19

没有这么做的吧，耐压主要是由工艺决定，你查下工艺手册，该工艺是否支持耐高压。。。而且你只是扩大宽长，期间特性也会变差。。

cicixu · 发表于 2011-3-16 21:00:53

一般5V process P/N break-down about 8V 上下,要求15V 不可行.

tla02 · 发表于 2011-3-17 16:29:16

5v工艺不能做到15v，这个很确定。

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