cap_free LDO

jerykot · 发表于 2010-12-29 23:08:09

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现在已经有非常多的无电容型LDO论文
但发现这些论文在测瞬态特性时
都把负载或输入变化时间设在了us级别
那要是在ns级别的话,变化不知道会不会很大.
感觉现在无电容LDO瞬态特性成了一个重中之重的问题点
大家都有什么好的想法?

zealotyao · 发表于 2010-12-30 10:11:39

关键是capfree LDO到底在实际中有什么好处？贴片电容已经很便宜了，
而且load transtion capfree 一般都比较差，花精力做capfree的好处是什么呢？
可否有人指点一下

mtwumtwu · 发表于 2010-12-30 10:30:41

NS transient analysis is importnat , as you see clock syncnize base loading change at clock edge for > 10Mhz clcok speed, loading transient should be nS , not to say > 100MHz system.

Alexion · 发表于 2010-12-30 17:47:00

回复 2# zealotyao

片上集成的电容成本相比更低，而且可以省去一个引脚，pcb上也会节省面积吧

sniper711 · 发表于 2011-1-1 00:50:38

节约面积吧

iyahsue · 发表于 2012-3-27 11:32:09

goooooooooooooooooooooooooooooood

[讨论] cap_free LDO

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