【求助】驱动MOSFET出现的问题

xspartan · 发表于 2010-12-6 14:46:45

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电源管理芯片驱动MOSFET的Gate脚，在Vgs爬到一定高度，Vds开始下降时，问题出现，

正常Vds应该是线性下降，但这时电路中Vds开始振荡，最差的是Vgs不在上升，Vds保持在一个高位

想知道这种情况的主要原因是什么

图稍后贴上

请各位牛牛们支招

allex_liu · 发表于 2010-12-7 17:29:39

根据第二幅图片的波形显示，GATE驱动波形是正确的。
而其他的图片所显示波形表明，FET工作在放大区，而且其漏极电流应该稳定在某一值，因为根据MOSFET放大原理可以知道，Vgate稳定在某一电压值同时Vds电压稳定在某一高位电压值，意味着Idrain必须为由FET跨导决定的电流值，即Idrain=gm*Vgs。
需要确定FET驱动芯片的输出能力，结合FET栅极总电荷和期望的跳变时间，就可以判断是否是因为芯片驱动能力与FET选型存在问题。
其他的方面从楼主的图形中无法判断。