【求助】驱动MOSFET出现的问题

xspartan

电源管理芯片驱动MOSFET的Gate脚，在Vgs爬到一定高度，Vds开始下降时，问题出现，

正常Vds应该是线性下降，但这时电路中Vds开始振荡，最差的是Vgs不在上升，Vds保持在一个高位

想知道这种情况的主要原因是什么

图稍后贴上

请各位牛牛们支招

allex_liu

根据第二幅图片的波形显示，GATE驱动波形是正确的。
而其他的图片所显示波形表明，FET工作在放大区，而且其漏极电流应该稳定在某一值，因为根据MOSFET放大原理可以知道，Vgate稳定在某一电压值同时Vds电压稳定在某一高位电压值，意味着Idrain必须为由FET跨导决定的电流值，即Idrain=gm*Vgs。
需要确定FET驱动芯片的输出能力，结合FET栅极总电荷和期望的跳变时间，就可以判断是否是因为芯片驱动能力与FET选型存在问题。
其他的方面从楼主的图形中无法判断。

xspartan

多谢

驱动Ig大约为40uA，Ciss大约为1nF，在Cgs上并了一个1uF的电容，gfs大约为12，电路示意图

Laker610

还需要LZ提供更多的信息：
1. 功率管是否进行开关操作？
2. 在没有功率管的情况下，Gate输出电压是否正常？
3. 功率管是否够大？
4. Gate端应该输出什么电压，幅度是多少？

当然现在可以确定的是，用40u的电流驱动1uF的电容，明显会带不动

泠风孤云

这个问题，光从图看不出来啊

JUN1106

不错

miklystone

我怎么觉得你的MOS管烧了啊.我仿真的时候用过一个MOS管不耐压,上面一个电感,导通第一段时间后就烧掉了,然后波形就震荡.