本帖最后由 papadin 于 2011-1-11 12:44 编辑
横向PNP管、纵向PNP管的结构与特点 由于模拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。图A 示出集成电路中的两种PNP型管。其中，横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行，不需附加工序。采用等平面隔离工艺的横向 PNP管的基本图形和结构如图6-1所示，其中心 p型发射区和外围 p型区是与普通NPN管基区淡硼扩散同时完成的，而基区即为外延层。在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 PNP管。 纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。 纵向NPN管在同样工艺下，具有不同的ESD保护特性和能力，CEBE和CEB结构有明显的Snapback效应，可以作为亚微米BiCMOS电路双极部分和MOS部分的ESD保护电路。采用反向EB结可以有效降低纵向NPN管的Vt1，而未引入寄生的串联电阻，从而可以有效地保护NMOS输出级。 | 
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发表于 2010-12-1 20:24:50
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