问一个弱弱的问题，关于工艺

zxcvbnmzx · 发表于 2010-10-24 16:28:43

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对于同一个工艺fab，人们常说5V CMOS工艺，3.3V CMOS工艺，请问这两个主要的差别是在哪儿？
即：工艺上什么差别造成耐压的不同？这两个工艺的栅电压耐压是一样的吗？

vdslafe · 发表于 2010-10-24 16:44:22

gate oxide 厚度不一样

zxcvbnmzx · 发表于 2010-10-24 16:57:16

这个5V，3.3V是指栅源电压Vgs的耐压吗？还是指Vds？？如果是指Vgs，那么Vds在哪儿体现？

zxcvbnmzx · 发表于 2010-10-24 19:04:17

upupupup

vdslafe · 发表于 2010-10-24 19:21:59

对于数字电路来说，vdd 直接给到vgs上
vds 本来就相对难breakdown.

zxcvbnmzx · 发表于 2010-10-24 19:34:28

回复 5# vdslafe

不一定啊。比如很多说20V工艺，是指Vds的耐压，但Vgs耐压只有5V

vdslafe · 发表于 2010-10-24 19:44:57

高压工艺不同，那是用了LDMOS 之类的
不是标准cmos 元件

大飞 · 发表于 2010-10-24 20:58:22

氧化层厚度不同

xxj281069558 · 发表于 2010-10-25 07:49:45

除去高压电路后的一般电路来说，就是指电路工作的栅极电压。。。

jlinky · 发表于 2010-10-28 22:56:41

糊涂了哈 Vds应该不是那个3.3V吧

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