关于在DC-DC的驱动管中集成整流二极管的问题

iceplanet · 发表于 2010-10-17 22:07:20

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小弟手头上有一个设计，输入5V的buck DC-DC，使用0.5的标准CMOS 双阱工艺，如果直接使用nmos管的n+/pwell寄生二极管用作整流二极管可行吗？是否会因为电流注入衬底而引起latch-up问题？如果可行，在版图上需要注意些什么吗？望高手指教！

grusher · 发表于 2010-10-18 04:48:11

通常是使用金-半接触的肖特基管，以获得更好的瞬态性能诸如更短的反向恢复时间。

iceplanet · 发表于 2010-10-18 14:24:57

谢谢楼上的建议
但在这种双阱的CMOS工艺中可以集成肖特基管吗？我得去查查工艺。
其实我是会用同步整流的，即使用导通的nmos开关管用于续流，只是在死区时间内和DDM模式下需要用到二极管，所以希望这个二极管直接使用nmos开关管的n+/pwell寄生二极管，而不需要另外的版图空间来制造二极管。

zhongbo1127 · 发表于 2010-10-18 20:39:10

完全没有必要，死区即使不用外部的二极管也没有关系，lowsideNMOS的体二极管可以导通提供持续电流

ghifi37 · 发表于 2010-10-19 11:41:28

普通工艺是做不了肖特基的；MOS管的体二极管也要小心使用，需要多加衬底接触

leebluer · 发表于 2010-10-19 13:48:31

回复 1# iceplanet

用NMOS代替schotty就好了，参考synchronous buck

iceplanet · 发表于 2010-10-19 19:47:20

本帖最后由 iceplanet 于 2010-10-19 21:03 编辑

回复 4# zhongbo1127

首先谢谢你的回复。
其实我也是这么想，直接使用lowside nmos的寄生二极管，但这会使一个比较大的电流注入衬底，带来latchup的风险。目前我所知的防止latchup的方法有两个，（1）n管和p管都使用双保护环结构（2）拉大n管和p管的距离。但对于这种有周期性大电流注入衬底的情况，保护环要建多宽，n管和p管的距离要多大，这我想就需要一些经验的数据了，而目前我没有在论文中看到这方面的论述。或许是这个东西太细节，或许是我想太多！不知道zhongbo兄是否有这方面的经验！谢谢

osial · 发表于 2010-10-23 20:38:20

回复 zhongbo1127

首先谢谢你的回复。
其实我也是这么想，直接使用lowside nmos的寄生二极管， ...
iceplanet 发表于 2010-10-19 19:47

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我只能说这个圈子太小了，我们一般做逆向的，宽度大小要嘛参考原来的设计，要么更具新工艺的设计规则来做。

iceplanet · 发表于 2010-10-25 22:48:47

楼上的很中肯！真想也做做逆向！

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