在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
查看: 2066|回复: 6

[讨论] MOS电容

[复制链接]
发表于 2010-9-26 15:05:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

×
MOS电容偏置在积累型和强反型有什么区别呀?
谢谢....
发表于 2010-9-26 16:07:18 | 显示全部楼层
大小差不多,但是沟道电阻大小不同。也就是说单纯的电容值相等,但是MOS电容的寄生参数不同!
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-9-26 16:59:30 | 显示全部楼层
1.高频特性的区别。
2.强反型一般来说需要更大的电压差。
回复 支持 反对

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2010-9-27 00:21:54 | 显示全部楼层
回复 3# steve_guo_1997
能说说高频特性有什么区别吗,谢谢了
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-9-27 12:19:19 | 显示全部楼层
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-11-16 13:03:58 | 显示全部楼层
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2010-11-16 13:58:33 | 显示全部楼层
高频下反型区由于电子空穴复合,电容就非常小了
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

X

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-9-13 03:48 , Processed in 0.020219 second(s), 5 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表