有谁知道CMOS工艺角中sf corner的具体含义吗？

wulong527 · 发表于 2010-9-11 23:59:19

这个我也想问问 fast 和 slow 之间的区别，主要是因为迁移率Un不同吗？
有没有高手转么解释下 fast 和 slow 之间主要是与设计有关的参数有大的变化了？
谢谢~~

lylnk · 发表于 2010-9-13 18:06:24

去看model文件的corner section定义，一般可以直接看到哪些参数不同。
再根据bsimmodel的说明搞清楚这些参数影响什么，就ok了。
一般model文件目录有一个pdf说明文件，里面也谁说哪些参数不同。

is,vth,tox,u0,cj... 很多变化的

fumes · 发表于 2010-9-14 08:48:25

我用的工艺就是p在前n在后

goodsilicon · 发表于 2010-9-14 09:03:13

我用的工艺就是p在前n在后
fumes 发表于 2010-9-14 08:48

登录/注册后可看大图

哪家工艺，报上名来？

coolfall · 发表于 2010-9-14 19:17:40

一般都是N在上，P在下吧。

destiny21 · 发表于 2010-9-18 17:52:42

学习了，以前倒是没有注意这些细节方面的东西

黄继成 · 发表于 2011-6-9 11:23:08

Miao_hero · 发表于 2011-8-15 16:16:39

自己查看工艺文件吧

LoveMay · 发表于 2011-8-15 19:16:04

工艺厂商生产时的偏差，可以归结到阈值电压的偏差。快的工艺角的阈值电压低，这样MOS的驱动能力也就跟着变快了。

qcf1987 · 发表于 2011-12-23 15:05:27

学习了~~

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