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查看: 5835|回复: 7

[求助] 沟道长度调制因子的测量

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发表于 2010-9-6 22:26:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我用的方法是测量出ID和Vds在不同VGS下关系曲线
(把Vds和VGS都设成变量),然后进行计算,n管的我已经测出来了,就是p管老是搞不对,不知道电压源究竟是怎么加的,请大家帮忙啊。
发表于 2010-9-7 09:27:21 | 显示全部楼层
有点小奇怪哦,楼主测沟道长度调制因子是针对一定的沟道长度测的吗?
此外,我认为针对一定的W/L只要Vds大于Vgs-VTH,MOS管工作在饱和区时,Vds、W/L和Vgs固定时根据电流公式就可以计算沟道长度调制系数了。不知道我是不是理解错误了楼主的意思?
发表于 2010-9-7 09:38:50 | 显示全部楼层
是gds/Id么?

随便接成二极管连接,仿真一下直流点。不就算出来了么?
发表于 2010-9-10 12:00:20 | 显示全部楼层
lambda会变的吧
发表于 2011-6-18 13:48:49 | 显示全部楼层
可以先扫描曲线VDS-ID,算出斜率,最后是厄尔利电压,倒数后就是lammda
发表于 2011-6-18 22:01:53 | 显示全部楼层
我也想知道~~具体怎么,弄成二极管结构,直流仿真后,在工作点参数表中找到gds,然后根据VE = IDS/(L*gds)来估算VE,不知道这样做对么,我不敢确定  望指正!
发表于 2011-6-18 23:31:10 | 显示全部楼层
有个大致的量级就是了,好像变动还是蛮大的
发表于 2016-9-17 16:46:44 | 显示全部楼层
回复 5# 模拟新手


   early voltage是bjt里面的吧。。mos管是沟道长度调制效应,,你是不是弄混了,,虽然两者有一定的相似之处
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