一种器件的应用特性

16楼的窗外 · 发表于 2010-8-20 15:39:41

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　　该BB515被设计为一个N沟道MOSFET的硅可在一般用途的开关器件应用类型。
BB515特点

1)（1）低导通电阻;(2)4V驱动;(3)电机驱动,直流/直流变流器;(4)雪崩电阻的保证。
　　BB515的绝对额定值为:（1）漏源电压：60伏特;（2）栅源电压：± 20 V的;(3)漏极电流(DC):30A;(4)漏极电流(脉冲):120A;(5)额定功耗:2.0 W;(6)允许功耗Tc = 25°C:25 W;(7)频道温度:150℃;(8)贮藏温度:- 55到+ 150℃。
　　在25°C时BB515的电特性可以概括为:（1）漏源击穿电压：60伏;（2）零栅电压漏极电流：1μA的;（3）栅源泄漏电流：± 10μA;(4)截止电压:2.6V;（5）远期转移准入：13至22S。

月下枯竹 · 发表于 2014-10-7 15:34:56

这么没人气啊

andy2000a · 发表于 2014-10-7 20:32:00

60v NMOS 嗎?  package 是那類  Ciss Qg 多少 ?
I=30a 那應該 RDS 很低很大一顆吧
vgs limit=20v , Vth 4v 真的 100% on ? 很多 600v nmos  Vth=4 但是  Vgs > 9v 才on ,
60v nmos Vth 會比較低  還是你說 4v fully on ?

30A 好大阿

jeffej · 发表于 2015-11-23 18:51:55

一种器件的应用特性

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