MOSFET功率损耗

fuxicheng

从应用上先看一下功率损耗的组成:可以分成导通损耗和开关损耗
                  MOSFET                        IGBT
导通损耗:  Irms^2*Rds(on)            Vce(on)*Iavg
开关损耗:  0.5*V*I*tsw*fsw             Ets*fsw
MOSFET在击穿电压增加时,Rds(on)呈指数级增加;IGBT由于其是少子载流器件,其拖尾电流限制了其开关速度.
因而简单的讲,在低压(<250V),高频(>50K)的应用中,比如通讯电源,充电器,同步整流,低压电机等的应用,优选MOSFET;反之,在高压(>600V),低频(<20K)的应用中,比如UPS,家电,感应加热,电焊接等应用中,优选IGBT
BSP452
BUZ31
BFQ225
IPB09N03L
IPD14N03
IPB14N03LA-F
IPU04N03LA-G
IPD06N03LAG
IPD06N03LBG
IPD09N03LAG
IPD13N03LAG
IPD15N03L
IPB10N03L
IPD07N03
IPD07N03L
IPB15N03L
IPD09N03LA
IPD09N03LA
IPD06N03LBG
IPD13N03LAG
IPB09N03LA-P
IPD16N06L
IPD06N03LA
IPD060N03L
IPDH6N03LAG
IPDH9N03LAG
IPD06N03LA
IPD12N03L
IPD07N03L
IPD06N03LA
SPD30N03S2L-10
SPD50N03SZ-07
SPD04N60C3
SPD02N60S5-P
SPD06N80C3
SPD07N20
SPD09N05
SPD28N05L
SKB10N60
IPDH6N03LAG MOSFET
制造商:  Infineon   

产品种类:  MOSFET Power   

RoHS:   详细信息   

配置:  Single   

晶体管极性:  N-Channel   

封装 / 箱体:  TO-252-3   

电阻汲极/源极 RDS（导通）:  10 m Ohms   

正向跨导 gFS（最大值/最小值） :  69 S / 35 S   

汲极/源极击穿电压:  25 V   

闸/源击穿电压:  +/- 20 V   

漏极连续电流:  50 A   

功率耗散:  71 W   

最大工作温度:  + 175 C   

封装:  Reel   

最小工作温度:  - 55 C