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[原创] 为什么过温保护电路大多采用NPN管的Vbe?

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发表于 2010-8-4 21:00:36 | 显示全部楼层 |阅读模式

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RT,可以用PNP的Vbe吗?(即Base和Collecter short to gnd)
发表于 2010-8-4 21:44:48 | 显示全部楼层
如果你的工艺里没有NPN呢
 楼主| 发表于 2010-8-4 22:05:24 | 显示全部楼层
LS 没有NPN就用PNP啊
发表于 2010-8-5 10:00:50 | 显示全部楼层
npn 放大倍数大
发表于 2010-8-6 16:01:25 | 显示全部楼层
可以用PNP的Vbe
发表于 2010-8-6 16:44:02 | 显示全部楼层
1# eeasdf

可以,在cmos工艺里面就是这么做的
发表于 2011-4-23 09:25:49 | 显示全部楼层
貌似是可以的吧。。
发表于 2011-4-23 18:16:36 | 显示全部楼层
三极常用,可以用mos管做~
发表于 2012-6-27 14:30:12 | 显示全部楼层
都可以 至少理论上可以
发表于 2012-9-18 15:51:39 | 显示全部楼层
我怎么见得大部分都是PNP啊
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