高压CMOS的工艺因子belta

albert_eetop · 发表于 2010-7-21 14:11:15

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chenxiaoming · 发表于 2013-4-23 11:33:29

Pass device 尺寸大只是parasitic cap 会大些

newrfdesign · 发表于 2018-6-2 16:37:05

xie xie

122013137 · 发表于 2018-6-4 09:48:55

beta表征过驱动电压(vgs-vt)和ids的关系

wkz · 发表于 2025-3-28 11:32:58

albert_eetop 发表于 2010-7-21 14:11
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