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发表于 2010-7-15 14:55:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 angelweishan 于 2010-7-15 14:57 编辑

Because of the difference between the aspect ratios of diffused resistors of practical value versus those of capacitors, the attainable matching accuracy is higher for capacitors given the same overall die area.


This results from the fact that no net charge redistribution between capacitors occurs for either zero or full-scale input since all capacitors are either fully discharged or fully charged, respectively.
For the same reason no offset error can arise from capacitor mismatch since the mismatch cannot be manifested unless a charge redistribution exists in the final configuration.


From
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-10, NO. 6, December 1975. pp371~379
"All-MOS Charge Redistribution Analog-to-Digital Conversion Techniques-Part I"
By James L. McCreary & Paul R. Gray

Thanks you in advance.
发表于 2010-7-17 13:01:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 zhanglg 于 2010-7-17 13:03 编辑

因为具有实际使用数值的不同电容之间的对应尺寸之比,与不同的扩散型电阻之间的对应尺寸之不同,所以在相同的面积条件下,不同电容之间会得到更好的匹配性。

造成这样的结果的原因是,无论在0摆幅还是全摆幅输入的情况下,两个电容要么分别被放电,要么分别被充电,两个电容之间没有净电荷的再分配发生。

因为只有在最后的配置中存在电荷再分配时电容之间的不匹配才会表现出来,所以由电容的不匹配而产生的偏移误差不会出现。

摘自,
IEEE固态电路杂志(1975年12月号.第十卷,第6部分,371~379页)
James L. McCreary & Paul R. Gray写的“全MOS充电再分配模数转换技术(第一部分)“

先行致谢
发表于 2010-7-17 19:39:47 | 显示全部楼层
呃  顶LS
发表于 2018-11-30 21:35:12 | 显示全部楼层
学习中。。。。。
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