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[资料] 关注一下GaN 

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发表于 2010-6-3 01:02:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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ABI研究公司一位研究人员表示,对于那些通过氮化镓(GaN)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说,无线基础设施领域所需的RF功率半导体可能并不是他们最好的机会。除了一些军事应用和微波通信,GaN主要用于移动无线基础设施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson却表示,这个对价格极度敏感的领域,可能并不适合GaNWilson表示:与传统放大器电路里的Si LDMOS相比,GaN虽然是新技术,设备成本却是其最大的致命伤。虽然GaN的价格可能会慢慢下降,并最终克服这一问题,但是却永远无法与Si LDMOS的价格相抗衡,因为它从本质上就是比Si LDMOS要贵。Wilson指出:尽管GaN可能会实现超级性能,但这也不能为之增添多少砝码。在移动无线基础设施领域,GaNSi LDMOS在价格和性能上始终都是势均力敌。GaN可能在今后几年会在移动基础设施所需的RF功率放大器的市场上攻下一些地盘,但绝不可能只手遮天。而且,在GaN市场上凑热闹的人太多了,将来至少会有一半的人知难而退,或者忍痛割爱。但是,Wilson也强调说,GaN前景依然让人看好。在4 GHz以上的频率,Si LDMOS的性能无法触及,因此GaN将几乎统治所有高功率市场。他说,Eudyna Devices和东芝就非常聪明地将其GaN产品的目标对准4 GHz以上的微波市场,这将给其带来相当大的收益。
  目前国内也有几家在尝试做GaN的东西,解决了一些工艺问题,利用自己流的片已经可以设计一些简单的大功率放大器,例如:GaN HEMT 5.9GHz-***GHz功率放大器,如果参考国外的相关产品,但是似乎差距还是蛮大的。正如上面所提到的GaN的天生硬伤就是其成本。同样,InP也存在类似的问题。做InP基的高速数模混合电路,可谓更是困难重重,工艺的问题还没有妥善解决,成本问题也无法期待。虽然InP是第二代半导体材料,GaN是第三代半导体材料,但是InP相比GaN还是有一些特有的优势,譬如说更高的电子迁移率,更高的截止频率,这在高速电路中至关重要。HRL做出了输出频率高达9.8GHzDDS芯片,正是采用了InP DHBT工艺,所以,尽管前途未卜,至少我们迈出了第一步。
发表于 2011-3-31 10:53:23 | 显示全部楼层
???、
发表于 2011-11-24 12:46:02 | 显示全部楼层
GAN powe
发表于 2014-5-4 11:36:25 | 显示全部楼层
谢谢楼主分享
发表于 2021-3-25 07:44:43 | 显示全部楼层
GaN  现在一堆充电头使用候 SIZE 变小.  

希望未来更多GAN

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