关于失调电压

forever6269 · 发表于 2010-4-24 20:29:57

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各位大侠好！请问：
1 运放的失调电压可以通过spectre仿真出来吗（其仿真的时候是不是默认是理想状态）？
2 书上有类似的失调电压公式，但失调电压是随工艺有关的随机量，是不是只能通过MC来仿真。如果是的话，那失调电压公式是不是只是作为参考，使设计人员知道怎么样减小失调电压，但具体量化的话只能通过MC?
谢谢了！

stoneduan · 发表于 2010-4-24 22:18:23

1. 可以的通过MC仿真，别的只能仿真出系统性失配
2. 那个公式其实已经很好用了，工艺的变化，Tox就跟着变化。
MC只不过能给出更具体的量。

forever6269 · 发表于 2010-4-25 20:35:58

1. 可以的通过MC仿真，别的只能仿真出系统性失配
2. 那个公式其实已经很好用了，工艺的变化，Tox就跟着变化。
MC只不过能给出更具体的量。
stoneduan 发表于 2010-4-24 22:18

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谢谢您的解答！
也就是说：1 关于工艺的随机适配，Spectre默认是理想状态，无法仿真？只能通过MC？
2 还有个疑问：按照MC仿真的说法，失调电压应该是个平均值为0的高斯分布函数，遵从6sigma，但是那个公式得出的是个具体的数值，不符合平均值为0的高斯分布函数这个情况！这是怎么回事？
还请大虾再详细解释下！

goodsilicon · 发表于 2010-4-26 09:42:42

谢谢您的解答！
也就是说：1 关于工艺的随机适配，Spectre默认是理想状态，无法仿真？只能通过MC？
2 还有个疑问：按照MC仿真的说法，失调电压应该是个平均值为0的高斯分布函数，遵从6sigma，但是那个公式得出的 ...
forever6269 发表于 2010-4-25 20:35

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1是对的。
2不知你说的是什么意思。

forever6269 · 发表于 2010-4-26 12:10:07

4# goodsilicon
我的意思是：失调电压应该是个平均值为0的随机量，而书上的那些关于失调电压的公式得出来的是个确定的数值，那这两者之间有什么样的区别和联系！
谢谢了！

gggsilicon · 发表于 2010-4-26 13:27:15

你就当那个确定的数值为1个sigma吧，好像事实也就是如此。

forever6269 · 发表于 2010-4-26 17:44:11

你就当那个确定的数值为1个sigma吧，好像事实也就是如此。
gggsilicon 发表于 2010-4-26 13:27

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非常感谢，请问你试过吗？

alvays · 发表于 2010-4-26 18:12:37

7# forever6269 检

检查你的model工艺库里是否有mismatched model，如果有，就可以做MC仿真

此外请问stoneduan，一般你的测试结果（批量或者测试片）和理论公式会偏离多少？恳请不吝赐教

Alvays

forever6269 · 发表于 2010-4-26 20:27:34

7# forever6269 检

检查你的model工艺库里是否有mismatched model，如果有，就可以做MC仿真

此外请问stoneduan，一般你的测试结果（批量或者测试片）和理论公式会偏离多少？恳请不吝赐教

Alvays
alvays 发表于 2010-4-26 18:12

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我也想知道，还请大虾赐教了！呵呵！

cherry99 · 发表于 2010-4-26 20:56:05

期待答案~

[原创] 关于失调电压

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