台積電捨22奈米直攻20奈米製程

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晶圓代工大廠台積電(TSMC)於美西時間13日，在美國加州聖荷西市舉行的技術研討會中，宣佈將跳過22奈米製程直接發展20奈米製程。該公司表示，此係基於「為客戶創造價值」而作的決定，提供客戶一個更可行的先進製程選擇。台積電此次技術研討會有1,500位客戶及合作廠商代表參與，該公司研究發展資深副總經理蔣尚義在會中表示，台積電20奈米製程將比22奈米製程擁有更優異的閘密度(gate density)以及晶片效能/成本比，為先進技術晶片設計人員提供一個可靠、更具競爭優勢的製程平台。其20奈米製程預計於2012年下半開始導入生產。
台積電20奈米製程係在平面電晶體結構製程(planar process)的基礎上採用強化的高介電值/金屬閘(high-k metal gate)、創新的應變矽晶(strained silicon)與低電阻/超低介電值銅導線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術。同時，在其他電晶體結構製程方面，例如鰭式場效電晶體(FinFet)及高遷移率(high-mobility)元件，也展現了刷新記錄的可行性(feasibility)指標結果。
從技術層面來看，由於已經具備了創新微影技術以及必要的佈局設計能力，讓台積電因此決定直接導入20奈米製程。不過蔣尚義也指出，在先進製程技術的開發上，台積電已經面臨一個關鍵時刻，也就是必須主動積極地考量其投資報酬率，並且需要跳脫單單考慮技術層面的思維模式，必須透過與客戶密切合作、以及在資源整合與最佳化方面的創新，同時解決來自技術及經濟層面的挑戰。

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65nm的都没用过。