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[求助] cmos inverter rise time and fall time

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发表于 2010-2-23 18:58:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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Wp=8um Lp=3um Wn=6um Ln=3um
仿真出来的结果 tf 约等于0.5ns tr约等于1ns。
下降的时间pmos 从unsat 到 off。 nmos from off to unsat。

为什么rise time 和fall time 不一样?
上升时间跟哪个管子有关?为什么?
发表于 2010-2-24 09:47:33 | 显示全部楼层
1# jiaoxin12366

把pmos的Wp增加一倍就可以了
发表于 2010-2-24 10:28:15 | 显示全部楼层
上升时间根pmos有关,即PMOS开启,对负载电容充电。
发表于 2010-2-24 11:07:45 | 显示全部楼层
通常(W/L)p = 2.5*(W/L)n
发表于 2010-2-24 11:33:39 | 显示全部楼层
1# jiaoxin12366
Before you do simulation, be sure you have added capacitance loading from invertor output node to GND and VDD, respectively. Once this loading was decided, you can tune the width of PMOS & NMOS to meet the rising and falling time specification you want.
 楼主| 发表于 2010-2-24 18:24:27 | 显示全部楼层
也就是说nmos产生的电流对负载充电?
 楼主| 发表于 2010-2-24 18:25:43 | 显示全部楼层
也就是说nmos产生的电流对负载充电? 3# safei
发表于 2010-2-25 18:34:18 | 显示全部楼层
反相器的上升时间是由pmos管对负载电容充电的时间决定
下降时间由nmos管对负载电容放电的时间决定,经验公式:
下降时间tf~CL/gmn
上升时间tr~CL/gmp

gmn、gmp均为管子处于饱和态的跨导。所以如果要使得tf=tr的话,那么需要:
增大PMOS管子的宽长比 减小Nmos的宽长比
发表于 2010-2-26 16:46:20 | 显示全部楼层
楼上说的很详细,赞一个~~
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