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[讨论] GCNMOS中RC如何设置?

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发表于 2010-1-27 09:59:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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工艺文件中给的是一般GGNMOS架构的ESD,打完ESD老是在Spec边缘。
现在想用GCNMOS架构,请问如何定义RC大小?
发表于 2015-4-16 16:34:40 | 显示全部楼层
同问,期待有人给个经验值啊
发表于 2015-4-16 17:11:32 | 显示全部楼层
GCNMOS是什么〉???  PRC??
发表于 2015-4-16 17:45:20 | 显示全部楼层
power-on 的电压上升时间是约1ms(毫秒)左右,但ESD 电压的上升时间是在约10ns(毫微秒),把ESD 侦测电路的RC 时间常数设在0.1~1.0μS(微秒),通常取0.1us -0.2us。
发表于 2020-1-7 20:43:31 | 显示全部楼层
大神是否知道,POWER CLAMP中的RC常数怎么选择?
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