在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4204|回复: 4

[讨论] GCNMOS中RC如何设置?

[复制链接]
发表于 2010-1-27 09:59:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
工艺文件中给的是一般GGNMOS架构的ESD,打完ESD老是在Spec边缘。
现在想用GCNMOS架构,请问如何定义RC大小?
发表于 2015-4-16 16:34:40 | 显示全部楼层
同问,期待有人给个经验值啊
发表于 2015-4-16 17:11:32 | 显示全部楼层
GCNMOS是什么〉???  PRC??
发表于 2015-4-16 17:45:20 | 显示全部楼层
power-on 的电压上升时间是约1ms(毫秒)左右,但ESD 电压的上升时间是在约10ns(毫微秒),把ESD 侦测电路的RC 时间常数设在0.1~1.0μS(微秒),通常取0.1us -0.2us。
发表于 2020-1-7 20:43:31 | 显示全部楼层
大神是否知道,POWER CLAMP中的RC常数怎么选择?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 03:09 , Processed in 0.017407 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表