求助: 各位达人有没有听说过这种工艺

yfssb · 发表于 2009-12-16 15:44:32

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要有高压NMOS耐30V
要有耗尽型管子
要有高值电阻大于2K 最好4K
最好还有高压管不要太大或者还有中压耐10V的管子
如果是N-sub的就更完美了。。。。双阱的也OK

各位达人知道国内有这样的高压工艺么？请不吝赐教啊~~~~ 谢谢谢谢

basildy · 发表于 2009-12-16 16:48:23

只有跟foundry联系了，看他们愿不愿意跟你合作开发了

yfssb · 发表于 2009-12-16 17:16:04

2# basildy

这个估计用不起~~~~周期也太长。。。。唉~~~~

xiaowanzi88 · 发表于 2009-12-17 23:36:16

哥们是要做一个高压低功耗的DC-DC芯片吧？呵呵，我也找过这种工艺，但是国内没有。
似乎耗尽管的L还要小一点，国内能做出耗尽管的工艺，似乎只有csmc0.5um cmos,HHNEC 0.35 5v cmos.

Mestc · 发表于 2009-12-17 23:50:09

国内？算了吧，有你也不敢用。
mxic，正在开发中...

sijutann · 发表于 2009-12-17 23:58:22

1# yfssb

看看xfab 的 XI10 工艺。有高温高压管，而且是SOI工艺

hvpower · 发表于 2009-12-18 09:10:15

高压工艺中耗尽管不好做吧
可能只有找一个FAB合作开发工艺了

jianjing526 · 发表于 2009-12-18 14:27:23

tsmc 0.5um 5v40v，双阱工艺，加depletion layer,基本能满足你的要求

hanjingyu2009 · 发表于 2009-12-18 14:47:38

为什么有耗尽型和4k要求呢，改电路吧。国内高压bcd不是有很多吗，我感觉还是找一个电路图、版图都齐全的好，毕竟改电路简单，跟工艺厂合作。。。太难了
而且国内的比国外便宜好几倍吧

入行未深，小见。

zhanweisu27 · 发表于 2009-12-19 13:12:35

小公司最好是选好适合的工艺,其余部分设计配合工艺

国内耐压的还是不少,4k这些要求不是很必须

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